n型ゲルマニウム,シリコンゲルマニウム多結晶薄膜及び半導体素子

2025.03.25

マンホールやピット内などの閉鎖空間で ガス濃度測定を効率よく行うには？～採気方法から考える最適な選定方法について～

 

2024.08.08 By 筑波大学

材料工学

CONTENTS

  1. 技術概要
  2. 用途・応用
  3. 問い合わせ・詳細資料閲覧

技術概要

金属誘起層交換成長法を使った n 型の多結晶 SiGe 薄膜の合成法の発明。 pn 接合の構造を作ることができるようになったことで、Ge膜の高移動度を活用した効率の高い熱電変換素子やダイオード等素子が作れる。低温プロセスゆえにプラスチック上に製造可能。

用途・応用

赤外線検知素子、 赤外線用レンズ、低消費電力デバイス、太陽電池、医療

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