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半導体型C N T を用い、高いT C R 値を備える赤外線受光素子を提供する
赤外線受光素子
従来、カーボンナノチューブ(Carbon NanoTube:CNT)を溶媒中に分散させてCNT分散液を調製し、CNT分散液を原料としてCNT薄膜を成膜し、CNT薄膜をアニール処理してCNT薄膜の-10~50℃における抵抗温度係数の絶対値を1%/K以上にする工程を含む赤外線センサ材料の作製方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に記載の赤外線センサ材料の作製方法によれば、比較的成膜の容易なCNTを薄膜化するので、プロセス生産性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【特許文献1】国際公開第2012/049801号
しかし、特許文献1に記載されている赤外線センサ材料の作製方法によるCNT薄膜においてはCNTに金属型CNTが混在しており、熱抵抗変化率(TCR値)が室温において低く、赤外線センサの性能向上に限界があった。
したがって、本発明の目的は、半導体型CNTを用い、高いTCR値を備える赤外線受光素子を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、基板と、基板上に設けられる第1電極と、基板上であって、第1電極から離間して設けられる第2電極と、第1電極及び第2電極から離間して設けられる第3電極と、第1電極と第2電極とに接触して設けられ、単一カイラリティの半導体型カーボンナノチューブを含んで構成されるチャネル部とを備える赤外線受光素子が提供される。
本発明に係る赤外線受光素子によれば、半導体型CNTを用い、高いTCR値を備える赤外線受光素子を提供できる。
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