高Q値シリコンナノ共振器の超スマート社会応用

2022.11.07 By 大阪府立大学 大学院 工学研究科 准教授 高橋 和

情報

技術の概要

高Q値シリコンナノ共振器は我が国発祥の革新的光デバイスであり、研究代表者は、2016年、CMOSプロセスを用いて大量作製することに成功した。我々が2013年に開発した超低閾値シリコンラマンレーザーの大量作製も可能であろう。 既存技術の延長とは異なる超小型・高機能光モジュールが開発可能であり、超スマート社会の実現に向けたキーデバイス開発を可能とする。

技術の特徴

  • ・超高Q値-100万以上
  • ・超小型-10マイクロメートル
  • ・低コスト-CMOSプロセスで大面積基板に作製
  • ・低環境負荷-オールシリコン
  • ・波長選択性-全ての光通信バンドで作製可能

適用分野

【想定される用途】

  • ・周波数モニター
  • ・革新的センサー
  • ・短距離光通信用多波長光源
  • ・人感センサー光源

 

【希望する「組織」連携体制】

  • ・電流注入Siレーザー開発
  • ・新規応用分野の創出
  • ・生産技術の高度化:歩留まり向上

技術の内容

【提案する内容】

超スマート社会に不可欠な技術

データセンターの省エネ化による大規模情報処理 シリコンレーザーを利用したトリリオン人感センサ

  • ガラス中心で発展してきた光通信用素子をシリコンフォトニクスを用いて小さく
  • 化合物半導体では不可能な低コスト、低環境負荷、爆発的個数の半導体レーザ
  • どこでも人感センサー、ロボット用センサー(ライダー)

【実装化への要望】

  • 高Q値シリコンナノ共振器、およびフォトニック結晶素子の作製に特化したCMOSプロセス開発、装置開発。
  • 高Q値ナノ共振器モジュール実装手法開発、関連装置開発。

特許情報

発明の名称 ラマン散乱光増強デバイス、ラマン散乱光増強デバイスの製造方法、ならびに、ラマン散乱光増強デバイスを用いたラマンレーザ光源 概要

従来の1万分の1以下のサイズと省エネルギーで動作するラマンシリコンレーザーを実現した.現段階では光励起型のレーザーだが、将来的にはより用途の広い電流励起型のレーザーへの発展が可能と見込んでいる。

出願番号 日本特許第5401635号
出願人 科学技術振興機構
代表発明者 高橋 和

研究者からの一言

実用的なシリコンレーザー開発により、シリコンフォトニクスを新たな産業ステージに引き上げ、半導体ロードマップを書き換える

問い合わせ・詳細資料閲覧

特許情報詳細や資料のダウンロード等については無料会員登録後に閲覧していただけます。

本研究に関するご質問や、話を聞いてみたいなどご興味をお持ちになりましたら、是非お気軽に以下のフォームにお問い合わせください。

特許情報

日本特許第5401635号

JPB 005401635-000000